DIL測(cè)試碳化硅的燒結(jié)過(guò)程

簡(jiǎn)介

碳化硅（SiC）是由硅和碳組成的陶瓷大幅增加，人造的碳化硅作為研磨料設施，商品名為金剛砂，也可作為半導(dǎo)體材料和碳硅寶石密度增加。最常見(jiàn)類型是α-碳化硅加強宣傳，其合成溫度超過(guò)2000°C傳遞，結(jié)構(gòu)呈六方晶系多種場景。另一種β-碳化硅呈面心立方結(jié)構(gòu)多元化服務體系，制備溫度通常低于2000°C，但商業(yè)價(jià)值不高擴大公共數據。碳化硅的比重為3.2g/cm3更多可能性，熔點(diǎn)溫度高達(dá)2700°C，呈化學(xué)惰性足夠的實力，熱膨脹系數(shù)很低，并且不會(huì)發(fā)生相轉(zhuǎn)變結構，非常適合用作高溫軸套和爐體材料更適合。

測(cè)試條件

溫度范圍：1000…2200°C       

樣品長(zhǎng)度：18.66mm               

校正標(biāo)樣：Poco 石墨

升溫速率：5K/min                        

氣氛：He

測(cè)試結(jié)果

上圖是碳化硅生坯（主要是由SiC粉末和燒結(jié)助劑混合而成）在1000°C到2200°C下熱膨脹測(cè)試曲線高效，呈兩步燒結(jié)步驟。第一步燒結(jié)收縮速率在1313°C達(dá)到最大要素配置改革，這是因?yàn)闊Y(jié)助劑的減少體系。第二步收縮速率在1817°C達(dá)到最大，這是由于坯體的收縮/致密化造成的帶動產業發展。該例說(shuō)明使用DIL 402測(cè)量超過(guò)2000°C的陶瓷燒結(jié)過(guò)程是*沒(méi)有問(wèn)題責任製。

編譯：

朱明峰

曾智強(qiáng)